半导体激光芯片及其制作方法和激光设备

本申请公开了一种半导体激光芯片及其制作方法和激光设备，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的半导体激光芯片包括外延片、第一膜层以及第二膜层。外延片包括沿半导体激光芯片的快轴方向依次层叠设置的第一量子阱结构、隧道结以及第二量子阱结构。第一膜层形成于外延片的前腔面，第二膜层形成于外延片的后腔面，第一膜层用于透过第一发光区产生的光子形成第一光束，并反射第二发光区产生的光子；第二膜层用于透过第二发光区产生的光子形成第二光束并反射第一发光区产生的光子。本申请的半导体激光芯片能够有效地实现双向出光，提高半导体激光芯片的可靠性，也改善了相关技术中单侧出光的双结芯片存在暗区的问题。