具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法

本公开公开了一种具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括半导体层和膜叠层；膜叠层位于半导体层的一面，膜叠层背向半导体层的一面具有孔槽，孔槽的槽壁包括依次相连的第一侧壁、台阶壁和第二侧壁，第二侧壁相较于第一侧壁远离半导体层，第二侧壁的内径大于第一侧壁的内径，第一侧壁和第二侧壁均与台阶壁之间具有夹角，台阶壁平行于半导体层。本公开实施例能够提升金属填充覆盖率。