用于抗单粒子翻转的FPGA BRAM可靠性设计方法
申请号:CN202510862185
申请日期:2025-06-25
公开号:CN120745531A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种用于抗单粒子翻转的FPGA BRAM可靠性设计方法,包括:设置端口控制模块trans_a和端口控制模块trans_b,利用所述端口控制模块trans_a控制FPGA BRAM的两个数据读写端口中的一个,端口控制模块trans_b控制另一个;端口控制模块trans_a控制的数据读写端口用于数据读写,端口控制模块trans_b控制的数据读写端口作为刷新端口,用于监控数据读写端口的读写操作,并在数据读写端口不读写时自动刷新数据。本发明控制及实现较为简单,占用资源少,能够实现用户数据的高可靠性传输。并且可以减小单粒子翻转带来的固件运行异常风险,可以有效提高固存设备的抗辐照性和可靠性。
技术关键词
数据读写端口
抗单粒子翻转
可靠性设计方法
控制模块
纠错
三模冗余
标识
可靠性装置
读数据
机制
算法
固件
风险
资源