一种倒装高压LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种倒装高压LED芯片及其制作方法。该芯片包括衬底、键合介质层和外延结构，外延结构依次包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述P型半导体层表面设有透明导电层和功能介质层，功能介质层中形成用于连接外部P电极焊盘的通孔和用于连接桥接金属电极的图形化接触区。芯片结构中设置有第一隔离槽和第二隔离槽，以及桥接金属电极和布拉格反射结构。相邻结构段通过桥接金属电极实现电气串联连接，电流由N电极焊盘输入，经多段结构导通，最终由P电极焊盘输出，形成高压发光电路。与现有技术相比，本发明在减小刻蚀深度、提升互联可靠性和出光效率方面具有明显优势，适用于高密度集成的倒装高压LED器件。