半导体功率模块及其封装方法

本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体功率模块及其封装方法。该方法包括：步骤S1:提供基板以及至少一个功率芯片；步骤S2:当功率芯片的上表面和/或下表面不存在预设金属化层时，在功率芯片的上表面预置第一金属化层和/或在功率芯片的下表面预置第二金属化层；步骤S3:对基板表面进行活性化镀层处理和/或平坦化处理，形成活性化镀层和/或平坦化表面；步骤S4:将功率芯片置于基板上，通过热压烧结工艺完成基板和功率芯片的互联；步骤S5:使用连接键连接功率芯片与基板，得到互联结构；步骤S6:对互联结构进行封装处理和端子成型，得到半导体功率模块。通过上述方式，本发明能够节约成本及降低工艺风险，提高半导体功率模块的可靠性。