摘要
本发明公开了一种半导体芯片，包括设置在衬底上的半导体叠层，半导体叠层设有功能区域，半导体叠层上设有保护结构，从俯视图上看，保护结构设置在功能区域的外围；保护结构包括至少两层金属层；每一层的金属层包含至少一段金属段；上层的金属层部分叠设在下层金属层上；保护结构在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为第一封闭图形，每一层金属层在从半导体叠层到衬底方向的投影形状为非封闭图形。本发明的半导体芯片的每一层金属层都会对芯片制程中产生的两个带电不同电荷的物体之间通过接触或接近产生的突然电荷转移现象进行消除，形成电荷释放通路，防止芯片制程中的半导体叠层损伤，增加半导体芯片的优良品产出比例。
