SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202510869951
申请日期:2025-06-26
公开号:CN120781608A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质。涉及功率器件封装状态检测技术领域。该方法包括:构建应力波在DBC板中传输的仿真模型;其中仿真模型包括DBC板模块以及设置于DBC板模块下方的陶瓷压电传感器模块,在DBC板模块上表面添加应力载荷作为激励,并以高斯脉冲模拟应力载荷;根据激励源与DBC板底部的应力波信号确定传递函数;搭建DBC板应力波传播实验系统,获取应力波穿透信号;根据传递函数与应力波穿透信号,计算得到应力波源的频域信号和时域信号。本申请通过对模块底部的应力波信号进行测量,成功对应力波源的信号进行了还原。
技术关键词
DBC板
应力
反演方法
陶瓷压电传感器
仿真模型
计算机执行指令
换能器
功率器件封装
接收端
状态检测技术
脉冲
载荷
阻尼
测试点
信号采集模块
反演装置
可读存储介质
功率模块