一种半导体晶圆表面颗粒污染的图像检测方法

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一种半导体晶圆表面颗粒污染的图像检测方法
申请号:CN202510872730
申请日期:2025-06-27
公开号:CN120388015B
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体晶圆表面颗粒污染的图像检测方法。方法包括:根据局部窗口中的像素值方差以及二值图像上的第一目标连通域的面积占比,得到全局噪声表征值,根据所有断裂连通域的边缘总长、所有第二目标连通域的边缘总长以及第二目标连通域的空洞面积,得到区域模糊表征值,根据全局噪声表征值和区域模糊表征值,得到表面抑制图像对应的形态学处理策略,并按照形态学处理策略对表面抑制图像进行形态学处理得到污染颗粒待检测图像,利用污染颗粒检测模型对所述污染颗粒待检测图像进行污染颗粒的检测识别。且本发明能够提高对半导体晶圆表面的污染颗粒进行检测识别的准确性和完整性。
技术关键词
半导体晶圆表面 图像检测方法 噪声 特征值 空洞 策略 边缘检测算法 像素点