基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统

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基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统
申请号:CN202510872903
申请日期:2025-06-27
公开号:CN120387203B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统,该方法包括:提供点镀阳极机构;组装镀覆装置机构;选取镀覆溶液的金属种类、密度数据,将选取的镀覆溶液放入镀覆装置机构的槽体中;将待加工半导体引线框架设置于镀覆装置机构的所定位置;计算点镀阳极机构呈锥体的阳极射流通孔的射流射程H;基于镀覆溶液流体动能方程和镀覆溶液流体耗散率方程构建点镀阳极模型。本发明能快速实现模拟半导体引线框架局部镀层膜厚的准确性,大幅度降低与实际电镀产品镀层膜厚的误差,还能够实现点镀阳极锥体射流装置技术水平的进一步完善,实现半导体引线框架镀层膜厚的均匀性的进一步提高,达到满足高端半导体引线框架产品对高端性能和高品质的要求。
技术关键词
阳极机构 半导体引线框架 镀覆装置 溶液 模型训练系统 圆筒 镀覆设备 锥体射流装置 湍流 方程 循环过滤系统 数据 动能 计算机 展开式 镀层 智能控制系统 可读存储介质