一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统

本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统。本发明首先在每个检测时刻下，确定的熔体流动向量，然后根据轮廓图像中的晶体轮廓确定晶体生长过程中的异常沉积方向，并获取异常沉积向量，进一步结合相邻上一检测时刻的轮廓图像中的晶体轮廓及XRD图谱中的晶体衍射峰，调控晶体生长炉内的磁场。本发明通过分析晶体生长炉内的熔体浓度分布及晶体截面轮廓的形态偏移情况，以进行晶体生长检测，评估晶体生长过程中所受异常对流影响，并结合晶体轮廓及晶体衍射峰确定如何施加干预磁场来抑制影响，从而提高晶体生长质量。