半导体封装件及其制造方法

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半导体封装件及其制造方法
申请号:CN202510873967
申请日期:2025-06-26
公开号:CN120674393A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件,包括:下封装件,包括第一基底、第一芯片和第一重新分布层;以及上封装件,设置在下封装件上并包括第二基底、第二芯片和多个内部连接端子,多个内部连接端子布置在第二基底上并连接到第一重新分布层。第一基底包括凹陷部分,第一芯片以其有源表面朝下的方式设置在凹陷部分中,导热材料填充凹陷部分的剩余空间,第一重新分布层位于第一基底、导热材料和第一芯片上。第一芯片包括多个硅通孔,第二芯片经由多个内部连接端子和第一重新分布层电连接到多个硅通孔,第一基底还包括信号过孔和虚设过孔,信号过孔被配置为使半导体封装件与外部通信,虚设过孔被配置为使第一芯片的热量散发到外部。
技术关键词
半导体封装件 基底 芯片 导热材料 信号 端子 通孔 玻璃 载体 导电