基于硅与三五族化合物的光互连芯片及其制备方法

本申请提供了基于硅与三五族化合物的光互连芯片及其制备方法。制备方法包括：步骤S1，在硅光晶圆上制备有源器件和无源器件；步骤S2，制备至少一个三五族外延晶圆，然后将三五族外延晶圆切割成三五族外延祼片；步骤S3，将三五族外延祼片与硅光晶圆进行祼片至晶圆键合；步骤S4，去除三五族外延祼片的衬底，保留三五族外延祼片的外延结构，对外延结构进行晶圆级加工从而制备三五族器件；步骤S5，在有源器件和三五族器件上制备第一过孔，并形成金属电极；步骤S6，去除硅光晶圆的衬底，并在去除了衬底的硅光晶圆表面制备金属互连层，金属互连层包括第二过孔和第一焊盘；步骤S7，将集成电路芯片祼片与硅光晶圆进行祼片至晶圆键合。