一种高亮LED芯片及其制作方法

本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体为一种高亮LED芯片及其制作方法，包括从上往上依次设置的蓝宝石衬底、分布在蓝宝石衬底上两侧的N‑GaN区域、位于两侧N‑GaN区域之间的N‑finger区域、N‑finger区域下沉积形成的一层CBL层、沉积或镀膜在CBL上方的一层ITO、分布于两侧N‑GaN区域上的MQW区域、分布于两侧MQW区域上的P‑GaN区域、分布与两侧P‑GaN区域上的P‑finger区域、沉积在P‑finger区域下的PV层和分布于PV层下的ITO层。本发明技术方案提供了保证电流注入的前提下，实现N‑finger区域100％高反射覆盖，从而大幅提升LED芯片亮度。