一种高度集成的功率半导体器件

本发明提供了一种高度集成的功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。它解决了现有技术缺乏对电流环路、功率损耗和热管理的综合考虑，且组装连接强度不足的问题。本高度集成的功率半导体器件，包括外壳、基板，基板上设有若干个采用上下桥设计的回路模块，基板上还设有若干定位孔，还包括定位件，定位件下部与定位孔固连，上部高出于基板，定位件内部贯通并设有内螺纹。本方案优化电路布局，提升能效和散热，降低电磁干扰，集成度更高，减小整体体积，物料成本的显著降低，结构简单，生产组装更加便捷，提升装配效率的同时增强结构的稳定性。