半导体制造智能预测闭环控制方法、系统以及可读存储介质
申请号:CN202510887455
申请日期:2025-06-30
公开号:CN120388907B
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体制造智能预测闭环控制方法、系统以及可读存储介质,所述方法包括以下步骤:获取机台实时FDC数据,将所述FDC数据输入至预设的虚拟量测模型,输出得到在制品的第一Inline量测参数;将第三Inline量测参数输入至预设的Inline‑Wat预测模型,输出得到在制品的预测Wat值;当判断所述预测Wat值超出异常控制范围时,对所述制品当站制程及后站制程的Inline量测参数进行修正。本发明半导体制造智能预测闭环控制方法、系统及可读存储介质实现了半导体制造过程的高精度预测、实时监控及工艺参数自动化修正,提升了预测精度与可靠性,保持了高效预测能力。
技术关键词
闭环控制方法
半导体
超参数
制品
xgboost模型
预测残差
制程
机台
误差
可读存储介质
闭环控制系统
数据采集单元
训练集
层级
处理器
程序
精度
尺寸