一种芯片DFN0603-3L封装工艺

本发明涉及封装技术领域，具体涉及一种芯片DFN0603‑3L封装工艺，包括以下步骤：先进行晶圆预处理，制备镍金复合凸点，减薄晶圆并粘贴第一载膜固定；采用三层结构胶膜进行层压，实现非导电胶层填充与导电胶层欧姆接触；运用波长355nm紫外激光一体化切割，精准控制深度形成独立芯片单元；最后通过真空吸嘴拾取芯片，完成与基板的共晶焊接及非导电胶层固化；本发明的目的是解决DFN0603‑3L封装中极小尺寸下切割精度不足、非导电胶层填充可靠性差及工艺效率低的问题。