一种硅片微缺陷测试方法及系统

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一种硅片微缺陷测试方法及系统
申请号:CN202510900387
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120927662A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种硅片微缺陷测试方法及系统。包括:采集硅片表面图像;对采集到的硅片表面图像进行预处理,提取出缺陷数据,并对缺陷数据进行特征分析;通过对硅片表面缺陷进行分析,得到缺陷表面积分布监测指数、缺陷密度集成指数以及缺陷位置偏离指数;根据缺陷的分析结果对硅片质量进行综合分析,得到硅片质量综合评估系数,通过硅片质量综合评估系数对硅片进行质量评估;根据预设的判定标准,对硅片质量是否合格进行判定;将判定结果不合格的硅片生成质量不合格的提示信息,生成检测报告,与质量不合格的提示信息一起发送至测试人员终端。能够精确捕捉到硅片上的微小缺陷,满足高精度检测的需求,有利于实现自动化检测、缺陷识别。
技术关键词
硅片表面缺陷 缺陷测试方法 指数 扫描设备 密度 报告 内部管理系统 边缘检测技术 像素 边缘检测算法 数据 分析模块 计算机终端 电信号 光学显微镜 自动标记 图像处理技术