基于SOI芯片的全温区多项式数字温度补偿方法及系统
申请号:CN202510901372
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120668280A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体技术领域,揭露了一种基于SOI芯片的全温区多项式数字温度补偿方法及系统,包括:获取目标SOI芯片预设温区的温频数据,拟合一全温区曲线并提取温区临界点,据此划分分段补偿区间,计算不同电压下的频率漂移量以构建全自动测试架构,利用该架构采集环境温度参数及瞬时温度值,解析分段补偿区间的温度补偿向量,进而监测芯片输出的信号频率区间,提取相位噪声参数并计算与预设值的频偏误差量,分析误差来源后优化多项式补偿阶次,采集温漂抑制数据生成全温区补偿报告。本发明可以提升芯片在复杂环境下的性能稳定性。
技术关键词
SOI芯片
数字温度补偿方法
噪声参数
多项式
误差来源
分段
数字温度补偿系统
曲线
相位噪声分析
实时信号
频谱特征
频率响应
温漂
数据
误差分量
报告