一种半导体器件及其制造方法、半导体设备

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、半导体设备，涉及半导体技术领域，以利于减小第一晶体管和第二晶体管沿基底厚度上的间距，从而降低半导体器件的寄生电阻和寄生电容，利于提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管沿基底的厚度方向间隔设置在基底上，且第二晶体管位于第一晶体管的上方。其中，沿平行于基底表面的方向，第一晶体管包括的第一有源结构与第二晶体管包括的第二有源结构间隔分布。第一有源结构和第二有源结构均包括沟道区、以及位于沟道区沿长度方向两侧的源漏区。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。