一种提高微发光二极管光效的封装方法

本发明涉及芯片封装领域，尤其是一种提高微发光二极管光效的封装方法，通过在微发光二极管封装过程中引入氧化等离子反应，对常规微发光二极管封装表面已经经过激光烧蚀对GaN进行减薄和部分去除后残留的Ga单质进行氧化，从而在GaN表面形成岛状的Ga203透明膜层，然后在Ga203表面进一步制作折射率小于GaN，且折射率逐步递减的过渡膜层，如氧化铪HfO，氧化铝Al2O3，氧化锌ZnO，氮化铝AlN，氮化硅SiN等，通过降低微发光二极管表面膜层的透光率，提高微发光二极管的出光效率。