芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备
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芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备
申请号:
CN202510914413
申请日期:
2025-07-02
公开号:
CN120727676A
公开日期:
2025-09-30
类型:
发明专利
摘要
本公开涉及一种芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备,该芯片包括第一温度区域和第二温度区域,第二温度区域的温度大于第一温度区域的温度;芯片还包括微通道,微通道包括用于第一温度区域冷却的多个第一微流体通道和用于第二温度区域冷却的多个第二微流体通道,多个第二微流体通道中两个相邻第二微流体通道之间的间距小于相邻两个第一微流体通道之间的间距。该芯片根据不同温度区域布置不同疏密的第一微流体通道和第二微流体通道,优化了冷却结构,同时,还能够降低泵送功率。
技术关键词
微流体通道
芯片
热点
半导体器件
间距
电子设备
参数
冷却结构
多边形
椭圆形
功率
矩形