一种基于静电感应晶体管的低噪声放大器

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一种基于静电感应晶体管的低噪声放大器
申请号:CN202510923208
申请日期:2025-07-04
公开号:CN120768256A
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于静电感应晶体管的低噪声放大器,包括构成共源共栅结构的MOS管M1和静电感应晶体管SIT1,起放大作用;以及作为源跟随器静电感应晶体管SIT2;所述静电感应晶体管SIT1的栅极接输入信号Vs,所述静电感应晶体管SIT1的源极接地,所述静电感应晶体管SIT1的漏极接MOS管M1的源极;所述MOS管M1的栅极接偏置电压Vbias,所述MOS管M1的漏极接静电感应晶体管SIT2的栅极;所述静电感应晶体管SIT2的漏极置空,所述静电感应晶体管SIT2的源极接输出Vout;所述静电感应晶体管SIT2的源极还通过电阻RO接地,所述静电感应晶体管SIT2的栅极还通过串联的电阻RL和电感LL接Vdd。本发明所述低噪声放大器具有低噪声、宽频带、高线性度的优点。
技术关键词
静电感应晶体管 低噪声放大器 谐振支路 栅极 共源共栅结构 噪声系数参数 电阻 散粒噪声 噪声模型 电容 耗尽型 MOS管 热噪声 电压 宽频带 线性