摘要
本发明涉及一种采用微流道散热的埋入式功率模块封装方法,在一片硅晶圆表面使用单光刻,对刻蚀完成的硅晶圆的微流道表面,以及另一块硅晶圆的双面进行背金,采用测控溅射在硅晶圆表面沉积,经过刻蚀的一片硅晶圆的微流道表面与另一片硅晶圆进行金‑金键合,使得微流道散热器形成完整的腔体;在未刻蚀的硅晶圆表面进行芯片的固晶以及环氧材料压合;顶部铜层,形成重新布线层,并激光打孔刻蚀至芯片表面形成盲孔,重新布线层上进行刻蚀,形成所需要的电路图案;重新布线层上方压合环氧材料绝缘,并刻蚀出焊盘的区域。本发明提出的微流道散热的埋入式功率模块封装方案更具有工程价值,在微流道散热器的制样过程中,降低了散热翅片的对齐难度,使得工艺上更容易实现。