一种高频石英晶体谐振器的低损伤双面离子束刻蚀方法

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一种高频石英晶体谐振器的低损伤双面离子束刻蚀方法
申请号:CN202510942388
申请日期:2025-07-09
公开号:CN120456803B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及石英晶体刻蚀技术领域,公开了一种高频石英晶体谐振器的低损伤双面离子束刻蚀方法,包括:基于实时反馈调控机制,实现对高频石英晶体谐振器刻蚀过程的精准控制。通过在真空腔室中启动上下对称离子源,形成双面刻蚀场,确保晶片双面刻蚀均衡。系统实时获取晶片厚度和工作谐振频率,并与预设频率比对得到频率偏移量。若偏移量超过阈值,则根据偏移幅度确定能量与气体修正因子,动态调整离子束能量与气体比例,实现刻蚀强度与损伤控制的联动优化;若偏移量低于阈值,则中止刻蚀。本发明通过嵌入式实时感知与参数联动优化,实现了刻蚀过程从“定参数控制”向“自适应反馈控制”的转变,提升了工艺过程的智能化与精准性。
技术关键词
离子束刻蚀方法 氧气混合比例 残差网络模型 因子 石英晶片 频率 双面 多层感知机 神经网络模型 石英晶体谐振器 关系 气体 厚度误差 强度 幅值