基于多参数校准与残差补偿的永磁体磁场建模系统、方法及设备
申请号:CN202510952208
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120820891A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于多参数校准与残差补偿的永磁体磁场建模系统及方法,该系统包括永磁体模块、霍尔传感器阵列、位姿调控模块、数据采集与预处理模块、永磁体磁场建模模块;霍尔传感器阵列采集永磁体产生的磁场信号;位姿调控模块安装霍尔传感器阵列并调控霍尔传感器阵列的位姿,数据采集与预处理模块采集永磁体的温度传感器、霍尔传感器阵列以及位姿检测装置的检测信号,并将采集的信号处理为数字信号。永磁体磁场建模模块,构建反映任一点的磁场强度与该点在以永磁体体心为原点的坐标系下的三维坐标分量、永磁体特性参数、环境磁场参数、永磁体温度之间关系的永磁体磁场理论模型。本发明可通过建模显著提升永磁体实际磁场的高精度预测能力。
技术关键词
霍尔传感器阵列
磁感应强度
坐标系
磁场建模系统
磁场建模方法
多参数
校准
理论
位姿检测装置
永磁体模块
旋转转台
数据
遗传优化算法
协方差矩阵
环境磁场