一种双开尔文源连接封装结构

本发明属于半导体功率器件封装技术领域，具体公开了一种双开尔文源连接封装结构，包括：第一开尔文源连接引脚和第二开尔文源连接引脚；第一开尔文源连接引脚连接低压Si MOSFET芯片的源极，作为Si/SiC Cascode器件的功率源极；第二开尔文源连接引脚连接高压SiC JFET芯片的栅极和低压Si MOSFET芯片的源极。本发明解决了传统开尔文源极封装不能改变Si/SiC Cascode器件中低压Si MOSFET漏源极电压的变化速率，无法直接地影响器件整体的电流上升和下降的速度，对Si/SiC Cascode器件开关速度的提升效果有限的问题。