一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统

本发明涉及电子技术领域，具体是一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统。该方法包括：获取GaN器件的实时监测数据；构建风险等级预测模型，并将所述实时监测数据输入所述风险等级预测模型得到风险等级；构建参数补偿预测模型，基于所述风险等级将所述实时监测数据输入所述参数补偿预测模型得到补偿参数；基于所述补偿参数对所述GaN器件下一个开关周期的栅压斜率、栅压阶跃幅值和死区时间进行调整。本发明解决了现有技术中抑制氮化镓器件电流崩溃的方式单一，器件负载过大的问题，通过风险等级预判，在非高风险情况下避免一刀切的调节方式，而是采用更为温和的渐变式栅压调节方式，可以减少电磁干扰、降低开关损耗、抑制电流尖峰，提高了GaN器件的可靠性。