OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备
申请号:CN202510972964
申请日期:2025-07-15
公开号:CN120469149B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体技术领域,提供OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备。本发明OPC模型的构建方法,根据成像对比度对晶圆图形进行了筛选分类,筛选出成像对比度不满足预设要求的晶圆图形,利用这些晶圆图形的CDSEM图像与测试版图进行叠对,精准且快速地得到与测试版图的对准标记位置一致的晶圆图形的特征尺寸,作为校准特征尺寸,这种方法得到的校准特征尺寸相对于原始特征尺寸更加准确,用于构建OPC模型,可以提高OPC模型的准确性。
技术关键词
OPC模型
校准晶圆
测试版图
校准特征
对准标记
边缘放置误差
尺寸
图像
光学邻近效应修正
对比度
轮廓
掩膜
成像
可读存储介质
光刻
图案
数据获取模块
处理器