复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法

本申请公开了复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法，方法包括：提供大面积复合基材，大面积复合基材包括导电金属片和结合层；对大面积复合基材按照复合键合片的轮廓进行不完全切割，形成被至少一个连接点中断的切割线，切割线围合形成对应于单个复合键合片的区域，复合键合片通过连接点与大面积复合基材的剩余部分保持连接；对连接点进行切割，使复合键合片完全与大面积复合基材分离并依靠自身重力脱落；本申请可以显著提升生产效率并降低单片成本，且满足功率器件的高可靠性需求。