压电振动传感器结构、制备方法、封装结构及芯片

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
压电振动传感器结构、制备方法、封装结构及芯片
申请号:CN202510985566
申请日期:2025-07-17
公开号:CN120576871A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种压电振动传感器结构、制备方法、封装结构及芯片,属于振动传感器技术领域,包括:基座、支撑梁结构、压电薄膜和质量块A;质量块A与支撑梁结构连接,支撑梁结构固定于基座上,压电薄膜贴合在支撑梁结构表面,压电薄膜上连接有电极;质量块A包括基座的一部分结构,这部分结构用于敏感振动加速度;在振动加速度作用下,质量块的惯性力带动支撑梁结构变形,应力作用于压电薄膜,压电薄膜在电极产生电荷形成电势,通过读出电路得到传感信号。本发明解决了振动传感芯片结构灵敏度不高、体积大等问题。
技术关键词
压电振动传感器 支撑梁结构 压电薄膜 传感芯片 底座结构 封装结构 加速度 振动传感器技术 基座 读出电路 电极 SOI工艺 管壳 阵列结构 环形 高冲击 应力 分区