复合衬底及其制备方法、半导体器件、芯片

申请号：CN202510986366

申请日期：2025-07-17

公开号：CN120603311A

公开日期：2025-09-05

类型：发明专利

摘要

本公开提供了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决多片衬底键合在一起后，键合界面电阻较高，导致复合衬底的导通电阻较高的问题；所述复合衬底包括：依次堆叠设置的第一衬底、功能层和第二衬底；第一衬底和第二衬底通过功能层连接；其中，功能层的材料的电阻率小于或等于1×10‑4Ω·cm。

技术关键词

复合衬底半导体器件半导体芯片技术锡掺杂氧化铟氟掺杂氧化锡铝掺杂氧化锌氮化铝衬底磷化铟衬底氧化镓衬底氮化镓衬底金刚石衬底砷化镓衬底碳化硅衬底热处理界面导电