一种薄晶圆切割方法

本发明涉及芯片技术领域，具体地说是一种薄晶圆切割方法。包括如下步骤：S1，对晶圆进行正面浅切，切割刀选择具有V型边缘的超薄刀具，形成V型的切割槽；S2，对晶圆正面贴合正面保护膜；S3，对晶圆背面进行减薄；S4，在晶圆背面贴合透切膜，去除正面保护膜；S5，将晶圆正面向下放置于隐形切割机的软性平台上，对晶圆背面进行激光隐形切割，分离成若干芯片；S6，对晶圆进行扩片处理，扩大芯片与芯片之间的间距；S7，对透切膜进行紫外光照射；S8，取走芯片。同现有技术相比，在晶圆正面利用超薄V型边缘切割刀在切割道内进行浅切，通过V型预开槽引导隐形切割裂纹扩展，降低隐形切割中裂痕无序延展的风险，降低晶圆切割的工艺成本。