基于超表面的双通道单像素偏振成像方法

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基于超表面的双通道单像素偏振成像方法
申请号:CN202510993869
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120890915A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
基于超表面的双通道单像素偏振成像方法,属于微纳光学、偏振成像和单像素成像应用领域。本发明实现方法为:将随机分布矩形纳米柱结构的超表面作为单像素成像系统的空间掩膜,利用超表面单元结构的各向异性,基于入射正交偏振光建立两位空间编码,结合优化的单像素偏振成像模型,能够在单次单像素成像过程中实现两个偏振通道的高分辨率成像。通过在水平和竖直方向上移动超表面的方式同时切换两个偏振通道下的掩膜图案,实现偏振复用和空间复用,实现高分辨率的双通道偏振成像。基于超表面的单像素偏振成像方法能够有效减小成像系统中偏振元件和探测器数量,光路简单,能够使成像系统更加紧凑且集成化,降低成像过程的时间成本和空间成本。
技术关键词
超表面 偏振成像方法 掩膜图案 偏振光 穆勒矩阵 压缩感知算法 纳米柱阵列 迭代收缩阈值算法 单像素成像系统 结构单元 成像算法 压缩感知框架 非晶硅 强度 纳米柱结构 通道 高分辨率成像