一种射频磁控溅射方法及装置

申请号：CN202510996571

申请日期：2025-07-18

公开号：CN120648994A

公开日期：2025-09-16

类型：发明专利

摘要

本发明公开了一种射频磁控溅射方法及装置，其涉及磁控溅射技术领域，在射频磁控溅射装置中包括气体室、高压辅助模块、射频发生装置以及控制模块，通过利用高压辅助模块进行直流起辉，再切换至射频发生装置进行溅射，从而克服了纯射频溅射起辉慢的缺点，提高金属靶材溅射的启动效率。

技术关键词

磁控溅射方法射频隔离电路高压震荡电路生成等离子体射频磁控溅射装置气体升压电路 UC3842芯片辅助电源低功率脉冲信号占空比滑动变阻器控制模块镀膜