半导体器件及其制备方法、芯片

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决增强型半导体器件中，栅极与沟道层之间的区域的2DEG浓度较高，将其耗尽变得困难的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层和势垒层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极和功能层；衬底、沟道层和势垒层依次层叠设置；p‑GaN层设于势垒层远离沟道层的一侧；栅极设于源极和漏极之间，且栅极设于p‑GaN层远离衬底的一侧；源极和漏极设于势垒层或沟道层远离衬底的一侧；功能层设于势垒层远离沟道层的一侧，且设于p‑GaN层和漏极之间，功能层还与p‑GaN层接触连接；其中，功能层的材料包括：AlyGa(1‑y)N；势垒层的材料包括：AlxGa(1‑x)N；x＞y，且y可以为0。