一种基于多粒度特征选择模型的WAT参数特征选择方法、系统、设备及介质
申请号:CN202511000114
申请日期:2025-07-21
公开号:CN120892779A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,具体地说,涉及一种基于多粒度特征选择模型的WAT参数特征选择方法、系统、设备及介质;通过融合过滤式与封装式方法,结合Sketch‑Bloom快速筛选与AWOA‑SVM动态优化,解决了WAT参数维度高、关系复杂导致的效率与精度问题;显著提升了晶圆图绘制速度与良率预测准确性,适用于先进工艺节点的半导体制造优化。
技术关键词
特征选择方法
分层优化算法
参数
电子设备上执行
构建预测模型
策略
可读存储介质
编码
标识符
计算机
预测误差
半导体
哈希表
矩阵
动态
存储器
数据
处理器