一种半桥功率模块结构
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一种半桥功率模块结构
申请号:
CN202511010697
申请日期:
2025-07-22
公开号:
CN120784233A
公开日期:
2025-10-14
类型:
发明专利
摘要
本发明提供了一种半桥功率模块结构,包括相对设置的第一表面和第二表面;端子区域,位于第二表面;端子区域含有一功率端子区和一信号端子区;半桥功率模块结构内部含有芯片层和布线层,芯片层含有上功率芯片和下功率芯片;功率端子区含有第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子;信号端子区含有第一信号端子和第二信号端子;散热层,位于芯片层与第一表面之间或设置在第一表面上;布线层与散热层之间有一绝缘层;从第二表面至第一表面的方向端子区域和芯片层的投影落在散热层所在范围之内。
技术关键词
功率芯片
功率端子
功率模块结构
信号端子
半桥功率模块
驱动芯片
散热层
布线
栅极
定义