光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质

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光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:CN202511015235
申请日期:2025-07-23
公开号:CN120507945B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了一种光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质。该方案可以在掩模版上选取不同种类的标准图形及测试图形,以作为初始采样点,对光学模型中的参数进行调整,并根据调整后的光学模型对所述初始采样点进行光学模拟,得到模拟尺寸,将所述模拟尺寸与设计尺寸进行对比,根据对比结果对所述初始采样点进行筛选,以得到目标采样点,对所述目标采样点进行晶圆量测得到第一量测结果,并根据第一量测结果对所述光学模型和光刻胶模型进行校准。本申请实施例可以对采样点进行模拟并筛选,从而减少大量的无效采样点,缩短了采样点数据量测时间,同时提高了采样点质量和最终建模效率。
技术关键词
采样点 光刻模型 光刻胶模型 校准方法 尺寸 电子设备 模版 参数 焦点 校准装置 存储器 处理器 模块 误差 数据