摘要
本申请实施例公开了一种光刻模型的校准方法、装置、电子设备及存储介质。该方案可以在掩模版上选取不同种类的标准图形及测试图形,以作为初始采样点,对光学模型中的参数进行调整,并根据调整后的光学模型对所述初始采样点进行光学模拟,得到模拟尺寸,将所述模拟尺寸与设计尺寸进行对比,根据对比结果对所述初始采样点进行筛选,以得到目标采样点,对所述目标采样点进行晶圆量测得到第一量测结果,并根据第一量测结果对所述光学模型和光刻胶模型进行校准。本申请实施例可以对采样点进行模拟并筛选,从而减少大量的无效采样点,缩短了采样点数据量测时间,同时提高了采样点质量和最终建模效率。