多回路垂直换流型低寄生参数三电平功率半导体模块

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多回路垂直换流型低寄生参数三电平功率半导体模块
申请号:CN202511020084
申请日期:2025-07-23
公开号:CN120880208A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体技术领域,公开了一种多回路垂直换流型低寄生参数三电平功率半导体模块,适用于三电平ANPC拓扑,包括由6个开关管S1至S6构成的三电平功率模块,所述模块具有正电平、零电平、负电平三种母线电平;其中,所述零电平分为两种类型,分别可与正电平或负电平切换,形成4种换流回路,其中包括两条小换流回路和两条大换流回路,模块结构设计用于抑制上述换流回路中的寄生电感;实现三电平ANPC模块的多回路低感集成;适用于多种封装方案,包括PCB‑on‑DBC封装、DBC基板焊接/烧结封装、嵌入式封装。本发明以半桥模块三维堆叠PCB‑on‑DBC的封装为例,实现了低热阻和高功率密度集成。
技术关键词
功率半导体模块 回路 嵌入式封装 DBC基板 芯片 功率模块 开关管 GaN器件 电感 母线 衬底 并联结构 功率开关 三电平 高功率