一种多温度条件下车载芯片性能测试方法、系统及介质

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一种多温度条件下车载芯片性能测试方法、系统及介质
申请号:CN202511021149
申请日期:2025-07-24
公开号:CN120507641B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种多温度条件下车载芯片性能测试方法、系统及介质,通过设置高低温冲击箱、控制设备和时钟源,待测试车载芯片设置于高低温冲击箱内,时钟源和控制设备置于高低温冲击箱外;控制高低温冲击箱的内部温度;向待测试车载芯片发送激励信号并记录发送时间;接收待测试车载芯片发出的完成信号并记录完成时间;计算待测试车载芯片执行关键操作的执行时间;基于多个内部温度下执行关键操作的执行时间,确定待测试车载芯片的性能测试结果;即利用高低温冲击箱实现待测试车载芯片的温度控制,并且在高低温冲击箱外部设置控制设备和时钟源,以避免高低温冲击箱内温度变化对控制设备和时钟源的影响,从而提高测试精度。
技术关键词
芯片性能测试方法 高低温冲击箱 控制设备 性能测试系统 时钟 温漂 指标 信号 延迟量 可读存储介质 计算机 动态 精度