一种六方相Cu3GeS4量子点及其制备方法和应用

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一种六方相Cu3GeS4量子点及其制备方法和应用
申请号:CN202511033146
申请日期:2025-07-25
公开号:CN120864552A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明属于新型多组分光电转换材料领域,具体涉及一种六方相Cu3GeS4量子点、其制备方法及应用。所述Cu3GeS4量子点的晶型为六方相,其微观形貌为纳米级的球状和/或多面体状结构,制备方法包括:(1)将二氧化锗在巯基乙酸和氨水介质中溶解备用;(2)将铜源溶于高沸点有机溶剂并加热至第一温度恒温反应一段时间,然后快速升温至第二温度,注入锗溶液,待反应完成后分离出其中的固体产物,即得。上述Cu3GeS4量子点结晶度高、单分散性高、形貌尺寸均一,合成方法反应条件温和、工艺简单,实现了尺寸可控、形貌均一、结晶度高、单分散的六方相Cu3GeS4量子点的可控制备,该纳米材料可潜在应用于光电转换领域。
技术关键词
高沸点有机溶剂 巯基乙酸 量子点 纳米材料 光电转换材料 乙酰丙酮铜 多面体结构 形貌尺寸 光子芯片 二氧化锗 尺寸可控 光伏器件 光电探测器 太阳能电池板 氨水 集成系统 溶液 球状 氯化铜