一种红外LED发光芯片及其制备方法

本发明涉及一种红外LED发光芯片及其制备方法，属于红外光学技术领域，发光芯片的发光粉化学式为RaQbOc：xCr3+，Yby，其中R为Y，La，Lu和Gd元素中的一种或两种，Q为Ga、Al元素中的一种或两种，2.5≤a≤3.5，4.5≤b≤5.5，11.25≤c≤13.25，0.02≤x≤0.30，0.02≤y≤0.30；该红外LED发光芯片的制备方法包括以下步骤：步骤S1、原料混合；步骤S2、高温焙烧；步骤S3、荧光粉封装；本申请加入的功能化主料中含有酚羟基、苯环和‑Si‑O‑Si键，活性酚羟基，不仅能够阻燃剂间形成氢键作用，还能够与改性填料反应，提高了芯片的折射率、导热性和机械性能。