一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块
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一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块
申请号:
CN202511038710
申请日期:
2025-07-28
公开号:
CN120568828B
公开日期:
2025-11-28
类型:
发明专利
摘要
本发明公开一种3D封装的低寄生电感SiC功率模块,包括基板层、芯片层、连接层、中间层、去耦电容;芯片层与基板层电气连接;所述中间层位于上芯片层和下芯片层之间,所述上连接层和下连接层为开窗型铜块,外接DC端子,用于连接上基板层和去耦电容;所述去耦电容为设于所述中间层的旁侧的两组电容,与上连接层和下连接层电气连接。通过采用高导电率的铜材料,与叠层和基板内铜层相连形成中间层,明显降低机身电感,提高散热效果,在高频、高压、大功率应用中具有明显的优势,能够有效提高电力电子系统的整体性能和可靠性。
技术关键词
SiC功率模块
中间层
去耦电容
芯片
铜块
电感
氮化铝陶瓷基板
电气
电力电子系统
端子
合金块
氧化铍
高导电
布线
大功率
氧化铝
叠层