提升晶圆划片可靠性的结构

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提升晶圆划片可靠性的结构
申请号:CN202511062281
申请日期:2025-07-30
公开号:CN120914173A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种提升晶圆划片可靠性的结构。该结构包括芯片区域、相邻的划片道、位于芯片区域内邻近划片道的密封环,以及覆盖这些区域的钝化层。其关键在于,在钝化层中、位于密封环与划片道之间形成一钝化层开槽,并在该开槽与密封环及划片道之间分别界定有第一和第二安全距离。此钝化层开槽能够在后续划片过程中释放或缓冲产生的机械应力,有效阻止其破坏性地传递至密封环及芯片内部区域,从而显著减少因划片引起的崩边、裂纹等缺陷,提升芯片的结构完整性、封装良率及最终产品的长期可靠性。
技术关键词
密封环 晶圆 划片道区域 芯片 测试键 半导体 应力 缓冲 裂纹 机械