高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器

本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器，包括中空导热外壳和分别位于中空导热外壳内且从上至下依次层叠的泵浦光增透膜、窗口层、增益芯片；增益芯片包括从上至下依次层叠的有源区、分布式布拉格反射器和衬底，衬底通过过渡金属层键合到中空导热外壳的底部，增益芯片的有源区包括交错分布的渐变式泵浦光吸收层和渐变式量子阱层，且各个渐变式泵浦光吸收层的厚度沿增益芯片顶部至底部的方向逐渐增加，各个渐变式量子阱层沿增益芯片顶部至底部的方向，阱层厚度逐渐增加，同时阱层组分逐渐降低。本发明解决了增益芯片的温度漂移问题，实现精准的波长控制，进而实现窄线宽、高光束质量的激光输出。