一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺

本发明公开了一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺，属于半导体封装技术领域。包括以下步骤：在铜柱表面依次电镀镍层(2.0±0.3μm)和金层(3.0±0.4μm，Ra≤0.8μm)，随后在空气环境下，通过施加脉冲电流(峰值电流1.2‑2.1A，占空比25％‑50％，频率2KHz)与梯度压力(0‑200MPa)协同作用，实现高粗糙度金层的低温键合。本发明通过电流诱导的焦耳热与界面原子扩散，显著降低键合形变，提升剪切强度，同时避免传统高温工艺导致的芯片热损伤，适用于高密度先进封装，通过精准电镀控制(镍/金层总厚度误差≤1μm)和免抛光设计，减少化学机械抛光(CMP)工序，工艺周期缩短40％。