一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法

本申请实施例提供的一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法，该测量系统包括由出射光束波长不同的第一光源和第二光源、成像组件和处理组件，通过控制第一光源出射第一光束穿透倒装芯片并在深层照射第一标靶，并从第一探测器获取包含第一标靶的第一图像；控制第二光源出射第二光束在倒装芯片的表面照射第二标靶，并从第二探测器获取包含第二标靶的第二图像，最后由处理组件基于第一图像和第二图像获取倒装芯片相对基板的第一偏移量和第二偏移量，并根据第一偏移量和第二偏移量得到倒装芯片的贴合偏移量。本申请通过采用双波长光源分时/分波段协同照射倒装芯片，突破了单波长检测的穿透性‑反射率矛盾，提升了贴合偏移量检测的准确性和可靠性。