一种泡沫镍负载3D铬掺杂碳纳米片超级电容器电极及其制备工艺和应用

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一种泡沫镍负载3D铬掺杂碳纳米片超级电容器电极及其制备工艺和应用
申请号:CN202511095335
申请日期:2025-08-06
公开号:CN120809504A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明属于能源存储技术领域,具体公开了一种泡沫镍负载3D铬掺杂碳纳米片超级电容器电极及其制备工艺和应用。本发明采用泡沫镍作为基底,通过液相自组装方法在其上生长ZIF‑67纳米片,再利用磁控溅射技术沉积铬掺杂的碳薄膜,形成三维纳米片阵列电极。本发明工艺简单、成本低廉且环境友好,不涉及有毒有害溶剂的使用。所制备的电极具有高比表面积、优异的电荷转移能力和电化学稳定性,显著提升了电极的比电容、能量密度和功率密度,优化了电极的电化学性能。本发明不仅适用超级电容器电极材料的制备,还可扩展到其他储能材料和器件的开发,具有重要的实际应用价值和产业应用前景。
技术关键词
超级电容器电极 纳米片阵列 泡沫 磁控溅射技术沉积 能源存储技术 磁控溅射室 组装方法 微型机器人 智能传感器 薄膜 高比表面积 去离子水 储能材料 二甲基 有毒有害