一种提升单片机内部FLASH模拟EEPROM使用寿命的方法及系统
申请号:CN202511111484
申请日期:2025-08-08
公开号:CN121011238A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及嵌入式数据存储技术领域,公开了一种提升单片机内部FLASH模拟EEPROM使用寿命的方法及系统,其方法包括以下步骤:首先初始化FLASH,将其划分为主数据区、映射表区、备份区与事务日志区,写入数据时,通过动态磨损均衡算法选择物理块,再以事务机制安全地更新映射表,读取数据时则进行循环冗余校验,若失败,即从备份区或事务日志区启动级联式恢复,最后,更新事务日志以记录操作,形成一个闭环的管理流程。本发明通过一套动态磨损均衡与数据分类管理机制,实现了写入负载在存储阵列中的全局化、均匀化分布,不仅在写入时选择擦写次数最少的物理块,还能够识别数据的访问频率,对不常变更的冷数据进行主动迁移。
技术关键词
单片机
日志
均衡算法
坏块管理
物理
存储管理模块
备份
执行循环冗余校验
数据迁移
级联式
动态
逻辑
错误率
条目
计数器
存储阵列
机制