一种MOSFET失配参数自动提取方法及存储介质
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一种MOSFET失配参数自动提取方法及存储介质
申请号:
CN202511120512
申请日期:
2025-08-12
公开号:
CN121031519A
公开日期:
2025-11-28
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及一种MOSFET失配参数自动提取方法,属于集成电路器件仿真技术领域,包括:统一模型卡中的失配参数表达式,建立失配模型方程;确定器件模型尺寸数列;按器件模型面积顺序排列,获得器件尺寸数组序列;设置失配参数数组顺序及各失配参数数组所包含的失配参数;按所述尺寸数组序列的顺序,及所述失配参数数组顺序,采用全局优化仿真迭代算法,提取失配参数最终值。本发明通过调整失配参数使得损失函数最小化,从而求解出全局最优解,提取得到最优的失配参数,采用全局优化方法提升了收敛效率,降低了运算开销。
技术关键词
参数自动提取方法
仿真数据
失配模型
因子
迭代算法
器件模型参数
尺寸
直线
全局优化方法
集成电路器件
序列
方程
电压
表达式
效应
处理器
线性